HfxZr1-xO2

Matthew Flynn-Hepford1, Kyle Sprecker1, Saban M Hus2

  • 1Materials Science & Engineering, University of Tennessee, Knoxville, Tennessee TN, 37996, United States.

概括

本研究探讨了- (Hf:Zr) 薄膜中的铁电特性. 观察到最优的铁电性和耐力,与正方体晶体相相关,对于内存设备应用至关重要.