嵌入物对通过MD抛光的Si去除机制的影响

科学领域:

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背景情况:

• 了解抛光对于半导体制造至关重要.
• 单晶中的圆形内含物会在磨削过程中影响表面完整性.

研究的目的:

• 为了研究钻石磨砂抛光在具有圆形内含的单晶上磨砂的机制.
• 分析包装尺寸对抛光动态和地下损坏的影响.

主要方法:

• 使用了分子动力学模拟.
• 分析了协调数,抛光力,摩擦系数,潜在能量,擦温度和脱位的变化.
• 在单晶中,循环内含的尺寸被系统地改变.

主要成果:

• 增加包含尺寸增强了协调数,抛光力,正常力和摩擦系数.
• 更大的入导致了更深的地下破坏,但也改善了缺陷原子的恢复.
• 钻石结构的损伤随着入直径的增加而增加;温度的影响并不显著.
• 系统的潜在能量呈现出高峰值,并随着包含大小的变化而变化的脱位行为.

结论:

• 包含尺寸显著影响抛光机械和地下损伤.
• 在增加损害和改善缺陷恢复与更大的包含之间存在一个权衡.
• 模拟结果为优化含含的钻石磨砂抛光工艺提供了洞察力.