MOSFET: Enhancement Mode
MOSFET
MOS Capacitor
Field Effect Transistor
Semiconductors
MOSFET: Depletion Mode
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Updated: Mar 8, 2026

Nanofabrication of Gate-defined GaAs/AlGaAs Lateral Quantum Dots
Published on: November 1, 2013
Rui Chen1,2, Andrew Tang1, Jayita Dutta1
1Department of Electrical and Computer Engineering, University of Washington, Seattle, WA 98195, USA.
研究人员开发了一种可扩展的,非挥发的光子可编程门阵列,使用石化变相材料 (PCM). 这一突破克服了当前光子集成电路的局限性,使得先进的芯片上光子系统成为可能.
科学领域:
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研究的目的:
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主要成果:
结论: