坚固的化被动化碳化与近表面量子发射器用于量子计算和传感应用
Cyrille Armel Sayou Ngomsi1, Sai Krishna Narayanan2, Pratibha Dev1,3
1Department of Physics and Astronomy, Howard University, Washington, D.C. 20059, United States.
化 (AlN) 消极化通过消除表面状态来稳定碳化 (SiC) 量子发射器. 这种方法提高了光稳定性,并揭示了具有量子应用独特特性的新接口缺陷.
科学领域:
- 量子计算是一种量子计算.
- 材料科学是一种材料科学.
- 纳米技术 纳米技术
背景情况:
- 碳化 (SiC) 点缺陷是量子应用的有希望的单光子发射器.
- 接近表面降低了这些量子发射器的光稳定性.
- 现有的被动化方法缺乏长期的化学和热稳定性.
研究的目的:
- 研究化 (AlN) 作为SiC表面的稳定被动化材料.
- 评估AlN在恢复SiC量子发射器光学性能方面的有效性.
- 为了探索新的SiC-AlN接口缺陷.
主要方法:
- 使用核心外纳米线模型进行第一原则计算.
- 使用SiC中负电荷的空位作为模型量子发射器.
- 模拟SiC表面的AlN被动化.
主要成果:
- 酸被动化有效地从带隙中去除有害的SiC表面状态.
- SiC量子发射器的光学特性通过AlN被动化恢复.
- 在SiC-AlN接口上发现了一种新的基于空缺的缺陷,具有不同的特性.
结论:
- 对于SiC量子发射器来说,AlN提供了一个稳定有效的被动化策略.
- 酸被动化克服了传统被动化技术的局限性.
- 发现的SiC-AlN接口缺陷为量子应用提供了新的机会.
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