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发射红色的半导体量子点激光器
1Institute for Microstructural Sciences, National Research Council of Canada, Ottawa, Ontario, Canada K1A 0R6.
Science (New York, N.Y.)
|November 22, 1996
概括
半导体量子点 (QD) 激光表现出使用高应力InAlAs的刺激发射. 这些高质量的QD实现了高效的载体注入和在低温下显著的输出功率.
科学领域:
- 半导体物理 半导体物理
- 光电学是指光电子产品.
- 材料科学是一种材料科学.
背景情况:
- 半导体量子点 (QD) 由于量子束,提供了独特的电子和光学特性.
- 开发高效的基于QD的激光结构对于先进的光电子设备至关重要.
- 之前的研究已经探索了各种QD材料和激光应用的生长技术.
研究的目的:
- 为了证明半导体激光结构中的可见刺激辐射,利用自组装的量子点.
- 为了研究激光应用的InAlAs量子点的性能特征.
- 评估这些 QD 结构在有效发光方面的潜力.
主要方法:
- 在甲 (GaAs) 基质上通过分子束表增长高度应变的印甲 (InAlAs) 量子点.
- 制造一个宽区域激光结构与一个单独的封闭异构结构的电气载体注入.
- 在冷温度 (77 克尔文) 的刺激辐射的表征和激光性能指标的测量.
主要成果:
- 实现了有效的载体热化到零维的QD状态.
- 刺激发射在大约707纳米时被观察到.
- 对于60μm x 400μm激光器,测量了175毫安培的值电流,其外部效率为~8.5%,峰值功率在77K时>200mW.
结论:
- 在半导体量子点激光器中成功证明了可见刺激发射.
- 高压力InAlAs QD显示出出色的尺寸分布和高增益,适合激光应用.
- 这些结果凸显了自组装QDs在高效和高性能光电子设备中的潜力.