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重建电流流量和对聚晶超导膜中电流限制缺陷的成像
Pashitski1, Gurevich, Polyanskii
1A. E. Pashitski, A. Gurevich, A. A. Polyanskii, D. C. Larbalestier, Applied Superconductivity Center, University of Wisconsin, Madison, WI 53706, USA. A. Goyal, E. D. Specht, D. M. Kroeger, Oak Ridge National Laboratory, Oak Ridge, TN 37831, USA. J. A. DeLuca and J. E. Tkaczyk, General Electric, Schenectady, NY 12301, USA.
概括
高角粒边界显著限制了TLBa2Ca2Cu3Ox薄膜中的超电流流量. 磁光成像显示,这些边界,而不是局部变化,决定了整体的临界电流密度.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 超导电性 超导电性 超导电性
背景情况:
- 多晶体薄膜对于超导应用至关重要.
- 了解这些材料的流量透和电流流量对于优化性能至关重要.
- TlBa2Ca2Cu3Ox薄膜具有高临界电流密度,但可能存在不均性.
研究的目的:
- 为了可视化磁流透在多晶TlBa2Ca2Cu3Ox薄膜中的磁流.
- 为了绘制局部超级电流流程模式.
- 为了将同质性中的电流流与晶体学误导相关联.
主要方法:
- 使用磁光成像来可视化磁流透.
- 重建了当地的二维超级电流流程模式.
- 在微观尺度上分析了结晶学误导.
主要成果:
- 观察到不均的磁流透.
- 电流在低角粒边界上自由流动,但在高角粒边界上减少.
- 当地临界电流密度 (Jc) 差异很大,高达运输Jc的10倍.
- 运输Jc主要是由几个高角粒边界决定的.
结论:
- 高角粒边界是TLBa2Ca2Cu3Ox薄膜中超电流流的关键瓶.
- 微观结构特征,特别是高角度边界,决定了宏观超导性能.
- 优化颗粒边界特征是提高这些薄膜中关键电流密度的关键.