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一个在室温下运行的单电子晶体管内存.

Guo1, Leobandung, Chou

  • 1Nanostructure Laboratory, Department of Electrical Engineering, University of Minnesota, Minneapolis, MN 55455, USA.

Science (New York, N.Y.)
|January 31, 1997
PubMed
概括

研究人员使用晶体管演示了室温单电子内存. 这种新的设备只用一个电子来存储数据,为未来超密集的集成电路铺平了道路.

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科学领域:

  • 半导体物理 半导体物理
  • 纳米技术 纳米技术
  • 电子设备 电子设备

背景情况:

  • 传统的记忆技术面临着扩展限制.
  • 单电子设备的发展为实现更高数据密度提供了一条道路.
  • 控制单个电子对于下一代电子设备至关重要.

研究的目的:

  • 为了演示一个在室温下运行的功能单电子记忆装置.
  • 研究纳米级结构中电子封闭的特征.
  • 评估将这项技术整合到大型电路中的潜力.

主要方法:

  • 制造一个浮式门金属氧化物半导体晶体管的纳米尺寸尺寸.
  • 使用宽度小于德拜选长度的通道.
  • 采用纳米级的多点作为浮动门.

主要成果:

  • 在室温下成功演示了单电子存储和内存操作.
  • 观察由单个储存电子引起的离散值电压转移.
  • 阶梯电压-电荷关系和自我限制的充电过程的特征.

结论:

  • 使用纳米级晶体管可以实现室温单电子内存.
  • 该装置由于单电子封闭而表现出独特的电气特性.
  • 展示的结构和制造方法与超大规模集成兼容.