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在半金属CrO2薄膜中增强了谷间道化磁电阻
1H. Y. Hwang, Bell Laboratories, Lucent Technologies, Murray Hill, NJ 07974, USA. S.-W. Cheong, Bell Laboratories, Lucent Technologies, Murray Hill, NJ 07974, and Department of Physics and Astronomy, Rutgers University, Piscataway, NJ 08855, USA.
Science (New York, N.Y.)
|December 5, 1997
概括
研究人员在二氧化 (CrO2) 薄膜中观察到增强的低场道磁阻. 化处理改善了谷间壁垒,显著提高了潜在应用的磁电阻.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 凝聚物质物理学 凝聚物质物理学
- 纳米技术纳米技术
背景情况:
- 半金属二氧化 (CrO2) 薄膜对旋转器件具有前景.
- 控制谷间壁垒对于优化磁传输特性至关重要.
研究的目的:
- 为了研究CrO2膜中的低场道磁阻.
- 探索化对谷际壁垒和磁电阻的影响.
- 为了展示调整接口属性的简单方法.
主要方法:
- 使用高压热分解 CrO3.3 的 CrO2 薄膜的生长.
- 高温回火处理以修改薄膜表面.
- 磁传输性质的表征,特别是低场道的磁阻.
主要成果:
- 在已成长的CrO2膜中观察低场道磁阻.
- 在回火过程中,CrO2表面分解成绝缘Cr2O3.
- 在回火处理后,低电场磁阻的三倍增强.
结论:
- 高温回火有效地修改了CrO2膜中的谷际屏障.
- 观察到的增强突出显示了控制磁传输特性的潜力.
- 这种简单的方法为在磁中量身定制接口特征提供了一条途径.