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半导体中的缺陷:有些致命,有些至关重要
1Department of Materials Science and Mineral Engineering, University of California and Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA 94720, USA.
Science (New York, N.Y.)
|August 14, 1998
概括
半导体缺陷曾经是个问题,现在是通过杂质兴奋剂来控制材料特性的关键. 了解原生和转移稳定的缺陷推动了半导体技术的创新.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 半导体物理 半导体物理
背景情况:
- 早期的半导体研究由于对杂质的极度敏感性而面临挑战,导致无法重现的特性.
- 半导体作为固有的不稳定材料的历史观点已经被克服.
- 杂质兴奋剂已经发展成为一种精确的技术,用于控制半导体特性.
研究的目的:
- 审查半导体材料中缺陷的关键作用.
- 要突出从杂质敏感性到受控兴奋剂技术的演变.
- 讨论原生,扩展和转移稳定的缺陷对半导体特性和过程的影响.
主要方法:
- 历史实验数据和科学文献的综述.
- 对杂质兴奋剂技术及其影响的分析.
- 对先天缺陷 (空隙,间隙) 和扩展缺陷 (位移) 的理论和实验研究进行审查.
主要成果:
- 缺陷,特别是杂质,现在被理解为控制电导率,组成和载体寿命的关键.
- 原生缺陷,如空缺和自我间隙,对于扩散过程至关重要.
- 了解缺陷反应可以使杂质的化和被动化.
- 超稳定缺陷和同位素控制为研究提供了新的途径.
结论:
- 缺陷是半导体行为和技术应用的基础.
- 对缺陷特性和相互作用的持续研究对于推进半导体科学至关重要.
- 同位素控制的半导体代表了缺陷研究的前沿.