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在基于InGaN的蓝色发光二极管和激光二极管中结构缺陷的作用
1The author is in the Department of Research and Development, Nichia Chemical Industries, 491 Oka, Kaminaka, Anan, Tokushima 774, Japan.
Science (New York, N.Y.)
|August 14, 1998
概括
酸 (InGaN) 活性层使高效发光二极管 (LED) 和激光二极管成为可能. 在InGaN中局部化的能量状态有助于设备的效率,即使存在失调.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 固态物理 固态物理
- 光电学是指光电子产品.
背景情况:
- 基于化 (GaN) 的发光装置对于现代照明至关重要.
- 在基于GaN的设备中实现高效率一直是一个重大挑战,特别是在材料缺陷方面.
研究的目的:
- 调查使用印化 (InGaN) 活性层用于高效发光二极管 (LED) 和激光二极管的使用.
- 了解构成波动和装置性能失调的作用.
主要方法:
- 制造InGaN/GaN量子井LED和多量子井激光二极管.
- 在蓝宝石上利用表轴侧面生长的GaN来减少线程位移.
- 设备效率和寿命的表征.
主要成果:
- 使用InGaN活性层实现了发射珀色,绿色,蓝色和紫外线的高效LED.
- 基于InGaN的LED显示出高光效率 (每瓦5-30流明),尽管线程位移密度高.
- 在InGaN多量子井激光二极管的寿命超过了10,000小时.
结论:
- 由于InGaN的成分波动,局部化的能量状态是高设备效率的关键.
- 长侧面生长的GaN有效地减少了线程位移,提高了设备的性能.
- 位移会对激光二极管的门电流密度产生负面影响.