由EUV诱导的脱吸是迈向大规模量子器件模式化的一步
Procopios Constantinou1,2,3, Taylor J Z Stock4,5, Li-Ting Tseng6
1London Centre for Nanotechnology, University College London, WC1H 0AH, London, UK. procopios.constantinou@psi.ch.
Nature communications
|January 24, 2024
概括
极端紫外线 (EUV) 光可以精确地从表面中去除,使量子设备的可扩展制造成为可能. 这种技术绕过了先进半导体制造的传统电阻.
科学领域:
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 表面科学是一门学科.
- 量子计算是一种量子计算.
背景情况:
- 量子电子设备的原子精确制造依赖于扫描道显微镜 (STM) 进行单原子精度.
- 将基于STM的光刻技术扩展到工业水平,需要与半导体制造工艺进行整合.
研究的目的:
- 为了证明使用极紫外线 (EUV) 来从表面吸收的方法.
- 为了弥合实验室规模的STM精度和工业半导体制造之间的差距.
主要方法:
- 利用极紫外线 (EUV) 光从单化物Si(001):H表面吸收.
- 采用扫描道显微镜 (STM),X射线光电子光谱 (XPS) 和光发射电子显微镜 (XPEEM) 进行表征.
主要成果:
- 由二次电子诱导的量化溶解特征来自价值带激发.
- 证明与13.5nm EUV光刻画标准的兼容性.
- 用现有的EUV基础设施表明了有用曝光时间的潜力.
结论:
- 欧阳光可以使表面具有无阻力图案.
- 这种方法通过确定性兴奋剂为制造经典和量子设备提供了并行处理的途径.
