Recrystallization: Solid–Solution Equilibria
Crystal Growth: Principles of Crystallization
Polymer Classification: Crystallinity
Phase Transitions: Melting and Freezing
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Wen-Xiong Song1, Qiongyan Tang2, Jin Zhao1
1National Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China.
组合空缺减少了相变材料 (PCM) 的接口能量. 在-- (Ge2Sb2Te5) 中的这一发现促进了更快的核形成,使得超快的相变存储器件的设计成为可能.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: