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Radoslaw Szymon1, Eunika Zielony1, Marta Sobanska2
1Department of Experimental Physics, Wroclaw University of Science and Technology, Wybrzeze Wyspianskiego 27, Wroclaw, 50-370, Poland.
化 (GaN) 纳米线上的部分涂层增强了它们的光电子特性. 这项纳米技术研究揭示了部分覆盖的独特好处,提高了发光效率和晶格放松.
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结论: