MOS Capacitor
Mnemonic Devices
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Md Mahadi Rajib1, Namita Bindal2,3, Ravish Kumar Raj2
1Department of Mechanical and Nuclear Engineering, Virginia Commonwealth University, Richmond, VA, 23284, USA.
这项研究引入了一种新的三元记忆系统,使用电压控制磁性异质变异 (VCMA) 和 skyrmions. 这种节能系统提供了2X的面积改进,适用于高密度深度神经网络.
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