Al/TaOX/Al

Gyeongpyo Kim1, Seoyoung Park1, Minsuk Koo2

  • 1Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University, Seoul 04620, Republic of Korea.

PubMed
概括

氧气等离子体治疗显著增强了用于神经形态计算的Al/TaOX/Al电阻随机访问存储器 (RRAM) 设备. 经过处理的RRAM显示了性能,耐用性和突触重量调整能力的改善.