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Kaleem Ullah1, Qiu Li1,2, Tiantian Li1,3
1Department of Electrical and Computer Engineering, University of Delaware, Newark, DE 19716, USA.
像In2Se3这样的多态分层材料为非挥发性记忆提供了低能量的快速相位过渡. 这些材料避免融化,减少设备故障,并使新的光子应用成为可能.
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