像素内前景和对比度增强电路,具有可定制的映射
Md Rahatul Islam Udoy1, Md Mazharul Islam1, Elijah Johnson2
1Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Tennessee, Knoxville, TN, 37996, USA.
Scientific reports
|January 28, 2025
概括
这项研究引入了使用HyperFET设备进行自适应图像对比度增强的pixel内电路. 它通过改善前景可见性和实时整体对比度来显著提高图像质量.
科学领域:
- 集成电路设计 集成电路设计
- 图像处理硬件 图像处理硬件
- 半导体设备物理学 半导体设备物理
背景情况:
- 传统的图像处理通常需要外部电路,增加系统复杂性和功耗.
- 现有像素电路的局限性阻碍了动态环境中的实时自适应对比度增强.
- 对于先进的成像系统,对芯片上图像处理解决方案的需求正在增长.
研究的目的:
- 开发和评估使用新型HyperFET设备的像素内对比度增强电路.
- 为了证明电路对前景隔离和一般对比度改善的能力.
- 评估电路适应不同操作模式和实时调整的适应性.
主要方法:
- 在像素内电路的设计,将MOSFET和相位过渡材料 (PTM) 集成到HyperFET中.
- 在像素电路内实现前景增强和对比增强模式.
- 开发一个像素电路模型,并将其应用到一个完整的像素数组进行模拟.
- 使用HSPICE模拟来量化性能指标,如米歇尔森对比率 (CR) 和信号对噪声比率 (SNR).
主要成果:
- 在前景增强模式下实现了迈克尔森对比率 (CR) 的近6倍增长.
- 证明有效地抑制背景像素,以提高前景对象的可见性.
- 通过可定制的对比度增强功能,对各种条件进行验证的适应性.
- 工艺变化和SNR分析证实了设计的稳定性.
结论:
- 拟议的像素内电路在图像质量和自适应对比增强方面提供了显著的改进.
- 通过HyperFET技术,可直接在像素内进行高效的实时图像处理.
- 该设计显示了下一代成像系统的巨大潜力,需要高性能和适应性.


