关于下一代EUV刻字技术的研究:Hyper NA,实际实施的最高潜力
Inhwan Lee1,2, Joern-Holger Franke2, Vicky Philipsen2
1Department of Chemistry, Faculty of Science, KU Leuven, Leuven 3001, Belgium.
ACS applied materials & interfaces
|August 11, 2025
概括
未来的半导体缩放需要先进的光刻法. 本研究探讨了减少波长或增加数字光圈 (NA) 以超出当前高NA极紫外 (EUV) 系统,以提高下一代设备的分辨率.
科学领域:
- 半导体制造业 半导体制造业
- 先进的 lithography 技术可以使用.
- 光学物理学的光学物理.
背景情况:
- 设备缩放需要改进的光刻分辨率.
- 目前的极紫外线 (EUV) 石版使用0.33 NA,正在开发的0.55 NA系统.
- 进一步提高分辨率对于未来的半导体节点至关重要.
研究的目的:
- 评估扩展 lithographic 分辨率超出当前高NA EUV 系统的途径.
- 分析降低EUV波长或增加NA的技术挑战和机会.
- 评估可行性和对未来扩展成像性能的影响.
主要方法:
- 两种主要缩放方法的比较分析:波长减小 (<13.5 nm) 和数值孔径增加 (NA > 0.55).
- 讨论每种方法的技术障碍和潜在进步.
- 对成像性能影响的评估.
主要成果:
- 波长减小和NA增长都为进一步的光刻缩放提供了可行的路线.
- 每种方法都带来不同的技术挑战和机遇.
- 这两种方法的可行性和对成像性能的影响各不相同.
结论:
- 持续的设备缩放依赖于光刻技术的进步,特别是超过0.55 NA EUV.
- 探索13.5nm以下的波长和NA>0.55是关键策略.
- 仔细考虑技术挑战对于成功实施至关重要.
