Field Effect Transistor
MOSFET: Enhancement Mode
Biasing of FET
Bipolar Junction Transistor
MOSFET
Characteristics of MOSFET
您也可能阅读
通过共同作者、期刊和引用图与本文相关的文章。
Bin Lu1,2, Hua Qiang1, Dawei Wang1
1School of Physics and Information Engineering, Shanxi Normal University, Taiyuan 030031, China.
一个新的道漂移扩散场效应晶体管 (TDDFET) 能够实现高效的三元逻辑电路. 这种新的设备设计及其与HSPICE的整合对于推进三元计算研究至关重要.
科学领域:
背景情况:
研究的目的:
主要方法:
主要成果:
结论: