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Jianquan Jia1,2, Lei Jin1,2, Xinlei Jia1,2
1Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100029, China.
3D NAND闪存中的Z干扰随着缩放而恶化. 一种新的编程方法通过降低相邻电池通路电压来减少这种干扰,显著提高了缩放设备的可靠性.
科学领域:
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主要成果:
结论: