访,3D

Ziyi Hu1,2, Jing Wen1, Chaoran Yang1,2,3

  • 1State Key Laboratory of Fabrication Technologies for Integrated Circuits, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China.

PubMed
概括

研究人员调查了动态随机存储器 (DRAM) 制造中的"动活跃区域" (AA) 缺陷. 在等离子蚀刻过程中优化氧气流量显著改善了AA结构完整性和DRAM设备可靠性.