在动态随机访问内存制造中,用于振动活性区域效应的3D重建和蚀刻配置模拟
Ziyi Hu1,2, Jing Wen1, Chaoran Yang1,2,3
1State Key Laboratory of Fabrication Technologies for Integrated Circuits, Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China.
Communications engineering
|March 1, 2026
概括
研究人员调查了动态随机存储器 (DRAM) 制造中的"动活跃区域" (AA) 缺陷. 在等离子蚀刻过程中优化氧气流量显著改善了AA结构完整性和DRAM设备可靠性.
科学领域:
- 半导体制造业 半导体制造业
- 材料科学 材料科学 材料科学
- 电气工程 电气工程
背景情况:
- 动态随机存取内存 (DRAM) 对计算至关重要.
- 主动区域 (AA) 结构对于DRAM性能至关重要.
- 在DRAM制造中的等离子蚀刻可以导致"动AA"缺陷,影响设备的可靠性.
研究的目的:
- 了解DRAM制造过程中"动AA"效应的潜在机制.
- 开发一个模型,将蚀刻参数与AA结构变形相关联.
- 确定减轻"动AA"缺陷的策略,并改进DRAM制造.
主要方法:
- 制造DRAM活动区域晶体管.
- 使用聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM) 的三维 (3D) 重建.
- 开发和应用一个3D蚀刻特征配置模型.
- 在不同氧气流速下模拟蚀刻过程.
主要成果:
- 使用先进的3D成像来描述"动的AA"缺陷.
- 一个经过验证的3D蚀刻模型预测结构变形.
- 通过在等离子蚀刻过程中调整氧气流速来证明AA结构的改善.
结论:
- 这项研究阐明了DRAM中"摇摇欲的AA"效应的机制起源.
- 调节氧气流速是提高AA结构完整性的有效策略.
- 为优化高密度DRAM制造流程提供可操作的见解.


